Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  модули MOSFET силы модулей MSCSM120SKM11CT3AG 254A 4000Vrms автомобильные IGBT

  Номер детали:MSCSM120SKM11CT3AG

  Устанавливать тип:Крепление шасси

  Напряжение тока - изоляция:4000Vrms

  Контакт
• 

  Mosfet одевает модули модуля силы MSCSM170AM058CT6LIAG SiC автомобильные IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM058CT6LIAG

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:19800pF @ 1000V

  Технология:НИЦ

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы SiC ноги участка модулей MSCSM170AM039CT6AG 523A IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM039CT6AG

  Rds дальше:5mOhm

  Пульсированное течение стока:1000A

  Контакт
• 

  Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

  Номер детали:MSCSM170AM058CD3AG

  Устанавливать тип:Крепление шасси

  Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (ТДж)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы MOSFET SiC ноги участка модулей MSCSM170AM15CT3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM15CT3AG

  Сток-источник на сопротивлении:mΩ 15

  Диссипация силы:862W

  Контакт
• 

  Транзисторы полупроводника массива 1.7kV 124A Mosfet MSCSM170AM23CT1AG дискретные

  Номер детали:MSCSM170AM23CT1AG

  Конфигурация:Канал 2 n (нога участка)

  VGS:20 v

  Контакт
• 

  Модуль силы MOSFET модулей 1200V SiC N-канала MSC40SM120JCU3 автомобильный IGBT

  Номер детали:MSC40SM120JCU3

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:55A (Tc)

  Id Vgs (th) (Макс) @:2.7V @ 1mA

  Контакт
• 

  Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

  Номер детали:MSC130SM120JCU3

  Продукт:Модули кремниевого карбида IGBT

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы держателя шасси модулей MSCSM170AM45CT1AG 319W IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM45CT1AG

  VDSS:1700V

  Настоящий - непрерывный сток:64A (Tc)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы 4000Vrms MOSFET модулей MSCSM120DAM11CT3AG SiC IGBT

  Номер детали:MSCSM120DAM11CT3AG

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 180 a

  Время падения:25 нс

  Контакт
• 

  Держатель SP3F шасси модулей 700V 241A 690W полупроводника MSCSM70AM10CT3AG дискретный

  Номер детали:MSCSM70AM10CT3AG

  Категория продукта:Дискретные модули полупроводника

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 100 a

  Контакт
• 

  кремниевый карбид SOT-227-4 N-канала модулей MSC130SM120JCU2 1200V автомобильный IGBT

  Номер детали:MSC130SM120JCU2

  Тип:Тяпка поддержки

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 10 В, + 25 В

  Контакт