Китай Микросхема памяти

• 

  Обломок MT29F512G08EBLEEJ4-T интегральной схемаы: Память IC E 512Gbit 132-VBGA

  Номер части:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E

  Организация памяти:64G x 8

  Ширина шины данных:бит 8

  Контакт
• 

  ВНЕЗАПНЫЙ - память IC MT29F1T08EELEEJ4-T NAND: Пакет 132-VBGA e 1Tbit параллельный

  Номер части:MT29F1T08EELEEJ4-T: E

  Технологии:ВСПЫШКА - NAND (TLC)

  Организация:128 g x 8

  Контакт
• 

  ВНЕЗАПНЫЙ - память IC MT29F1G01ABBFD12-AAT NAND: Интегральные схемаы f электронные

  Номер части:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F

  Организация памяти:1G x 1

  Интерфейс памяти:ППИ

  Контакт
• 

  8Tbit ВСПЫШКА - память IC MT29F8T08EWLEEM5-R NAND: Обломок интегральной схемаы e

  Номер части:MT29F8T08EWLEEM5-R: E

  Подача напряжения - минута:1,7 v

  Подача напряжения - Макс:1,95 v

  Контакт
• 

  память IC держателя MT25QL128ABA1EW7-0SIT 128Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN поверхностная

  Номер части:MT25QL128ABA1EW7-0SIT

  Влага чувствительная:Да, да.

  Формат памяти:ФЛАСШ

  Контакт
• 

  Флэш-память SLC 256MX8 TFBGA QDP обломока MT35XU02GCBA1G12-0AAT интегральной схемаы

  Номер части:MT35XU02GCBA1G12-0AAT

  Категория продукции:НИ внезапный

  Размер памяти:2 Gbit

  Контакт
• 

  8Tbit параллельная ВСПЫШКА - память IC MT29F8T08EWLEEM5-T NAND: Интегральная схемаа обломока e

  Номер части:MT29F8T08EWLEEM5-T: E

  Организация:1T x 8

  Интерфейс:Параллельно

  Контакт
• 

  Держатель IC 24-TBGA памяти обломока MT25QU02GCBB8E12-0SIT интегральной схемаы поверхностный

  Номер части:MT25QU02GCBB8E12-0SIT

  Напряжение питания - мин:1.7 В

  Подача напряжения - Макс:2 v

  Контакт
• 

  Память IC обломока MT25QL512ABB8ESF-0AAT 512Mbit SPI 133MHz интегральной схемаы

  Номер части:MT25QL512ABB8ESF-0AAT

  Организация памяти:64M x 8

  Напряжение - питание:2.7V ~ 3.6V

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы IC 512Mbit 200MHz 6NS MT35XU512ABA1G12-0SIT памяти

  Номер части:MT35XU512ABA1G12-0SIT

  ГДР:200 МГц

  Плотность:512MB

  Контакт
• 

  1Gbit SPI интегральные схемаы IC MT25QU01GBBB8ESF-0SIT памяти 166 MHz электронные

  Номер части:МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3М

  Организация:1 g x 1/512 m x 2/256 m x 4

  Влага чувствительная:Да, да.

  Контакт
• 

  ВЕС MT62F768M64D4EK-023: Обломок интегральной схемаы микросхемы памяти TFBGA-441 c автомобильный

  Номер части:ВЕС MT62F768M64D4EK-023: C

  Пакет:441-ball TFBGA

  Размер:14.0mm x 14.0mm

  Контакт