Китай Микросхема памяти

Обломок MT29F4G08ABADAWP-AATX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти D 48-TFSOP NAND

Номер части:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

Течение поставки - Макс:35 мам

Ширина шины данных:бит 8
Обломок MT29F2G08ABBEAH4-AITX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти e 2Gbit параллельные

Номер части:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Тип продукции:Флеш-память NAND

Организация:256 m x 8
63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Обломок интегральной схемаы IC 2Gbit флэш-памяти g NAND

Номер части:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

Приурочивая тип:Асинхронные

Подача напряжения - Макс:1,95 v
Флэш-память IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT SLC NAND: Обломок 63-VFBGA интегральной схемаы f

Номер части:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F

Плотность:4 ГБ

Код FBGA:NX100
Обломок MT29F2G08ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти G 63-VFBGA NAND

Номер части:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

Ширина:Ширина x8

Организация памяти:256 м х 8
Обломок MT29F2G16ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство g 2Gbit откалывает 63-VFBGA

Номер части:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

Размер:9mm x 11mm

Тип установки:Поверхностный монтаж
4Gbit параллель MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Микросхемы памяти IC 48-TFSOP памяти NAND ВСПЫШКИ F

Номер части:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

Серия:MT29F

Стил монтажа:SMD/SMT
Флэш-память IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR NAND: Обломок 132-VBGA интегральной схемаы e

Номер части:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E

Ширина шины данных:бит 8

Категория продукции:Флэш-память NAND
Обломок MT29F2G08ABAGAH4-AIT интегральной схемаы: ВСПЫШКА G 2Gbit - память IC NAND

Номер части:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G

Тип памяти:Нелетающие

Формат памяти:ФЛАСШ
Память IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI обломок интегральной схемаы 133 MHz

Номер части:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

Частота работы часов:133 MHz

Напишите время цикла - слово, страница:8ms, 2.8ms
Обломок MT29F1G08ABAFAWP-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство IC f 1Gbit

Номер части:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

Память:1Gbit

Организация памяти:128M x 8
Обломок MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI интегральной схемаы память IC 133 MHz

Номер части:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

Тип памяти:Нелетающие

Формат памяти:ФЛАСШ

Page 234 of 243|< << 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 >> >|

Микросхема памяти

Китай Микросхема памяти

Обломок MT29F4G08ABADAWP-AATX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти D 48-TFSOP NAND

Обломок MT29F2G08ABBEAH4-AITX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти e 2Gbit параллельные

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Обломок интегральной схемаы IC 2Gbit флэш-памяти g NAND

Флэш-память IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT SLC NAND: Обломок 63-VFBGA интегральной схемаы f

Обломок MT29F2G08ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти G 63-VFBGA NAND

Обломок MT29F2G16ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство g 2Gbit откалывает 63-VFBGA

4Gbit параллель MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Микросхемы памяти IC 48-TFSOP памяти NAND ВСПЫШКИ F

Флэш-память IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR NAND: Обломок 132-VBGA интегральной схемаы e

Обломок MT29F2G08ABAGAH4-AIT интегральной схемаы: ВСПЫШКА G 2Gbit - память IC NAND

Память IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI обломок интегральной схемаы 133 MHz

Обломок MT29F1G08ABAFAWP-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство IC f 1Gbit

Обломок MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI интегральной схемаы память IC 133 MHz

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики