Китай Обломок интегральной схемаы

• 

  Чип интегральной схемы IPTG044N15NM5 N-канальный транзистор усиления мощности

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы AIMW120R045M1 N-Channel 1200V 52A 228W MOSFET транзистор

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IPT65R060CFD7 Автомобильный одноканальный MOSFET N-канальный транзистор

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы IGO60R070D1 600 V CoolGaNTM E-mode Power Transistor

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Чип интегральной схемы ISC012N04LM6 Высокопроизводительный транзистор с одним усилением

  Количество мин заказа:10

  Цена:Contact for Sample

  Упаковывая детали:Стандартный пакет

  Контакт
• 

  Одиночный обломок интегральной схемаы транзисторов 900V TO-247-3 FETs NTHL020N090SC1

  Номер части:NTHL020N090SC1

  Пульсированное течение стока (ЖИВОТИКИ = 25°C):472A

  Ультра низкая обязанность ворот:QG (младенец) = 196 nC

  Контакт
• 

  Транзисторы MOSFETs N-канала 650V 24A обломока IPP65R099CFD7AAKSA1 IC одиночные

  Номер части:IPP65R099CFD7AAKSA1

  Vgs (макс.):± 20 В

  Диссипация силы (Макс):127W (Tc)

  Контакт
• 

  PG-TO263-7-11 поверхностные транзисторы держателя IPBE65R145CFD7AATMA1 650V одиночные

  Номер части:IPBE65R145CFD7AATMA1

  Технологии:MOSFET (металлическая окись)

  Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:17A (Tc)

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов NTPF082N65S3F TO-220F-3 650V N-канала силы

  Номер части:NTPF082N65S3F

  Режим канала:Повышение

  Тип транзистора:1 MOSFET SuperFET III N-канала

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов 8-PQFN N-канала NTMFSC0D9N04CL ДВОЙНОЙ КРУТОЙ

  Номер части:NTMFSC0D9N04CL

  Размер:5mm x 6mm

  Полярность транзистора:N-канал

  Контакт
• 

  Транзисторы держателя обломока IPBE65R230CFD7AATMA1 интегральной схемаы поверхностные

  Номер части:IPBE65R230CFD7AATMA1

  Тип FET:N-канал

  Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:1044 pF @ 400 v

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы транзисторов FCH060N80-F155 800V TO-247-3 N-канала

  Номер части:FCH060N80-F155

  Тип. RDS (дальше):54 m

  Ультра низкая обязанность ворот:Тип. Qg = 270 nC

  Контакт