Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  Модули модуля силы 1200V модулей NXH80T120L2Q0S2TG IGBT автомобильные IGBT

  Номер детали:NXH80T120L2Q0S2TG

  Минимальная работая температура соединения:-40°C

  Время задержки Turn−on:61ns

  Контакт
• 

  модуль инвертора IGBT модулей NXH40T120L3Q1PTG 1200V автомобильный IGBT трехфазный

  Номер детали:NXH40T120L3Q1PTG

  Входная емкость (Cies) @ Vce:7,753 nF @ 20 v

  Входной сигнал:Стандарт

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль 959W инвертора IGBT модулей NXH400N100H4Q2F2PG IGBT трехуровневый

  Номер детали:NXH400N100H4Q2F2PG

  Тип IGBT:Диафрагма поля зрения канавы

  Конфигурация:Трехуровневый инвертор

  Контакт
• 

  Инвертор моста диафрагмы поля зрения канавы модуля транзисторов FF450R12ME4 IGBT половинный

  Номер детали:FF450R12ME4

  Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера:1200 В

  Конфигурация:Половинный инвертор моста

  Контакт
• 

  Транзисторы SiC массива Mosfet модуля силы MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W

  Номер детали:MSCSM120HM16CT3AG

  Полная обязанность ворот:1602nC

  Конфигурация:N-канал 4

  Контакт
• 

  модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

  Номер детали:MSCSM170HM23CT3AG

  Диссипация силы TC = °C 25:602W (Макс)

  Сток-источник НА сопротивлении (Макс):22.5mΩ

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы модуля силы SiC моста модулей MSCSM120HM083CAG IGBT полные

  Номер детали:MSCSM120HM083CAG

  VGS:10V

  Диссипация силы:1042W

  Контакт
• 

  Mosfet транзисторов MSCSM120HM063CAG одевает полный модуль силы SiC моста

  Номер детали:MSCSM120HM063CAG

  Пульсированное течение стока:900A

  обязанность Ворот-источника:232nC

  Контакт
• 

  Массив Mosfet модулей 1700V 4N-Channel модулей MSCSM170HM087CAG автомобильный IGBT

  Номер детали:MSCSM170HM087CAG

  Технология:Кремниевый карбид (SiC)

  Конфигурация:N-канал 4 (полный мост)

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы массива Mosfet модулей MSCSM70HM038CAG IGBT привинчивают держатели

  Номер детали:MSCSM70HM038CAG

  Максимальная рабочая температура:+ 125 c

  Тип:Полный мост

  Контакт
• 

  Автомобильный MOSFET общедоступного источника модулей MSCSM170DUM039AG 2N-Channel IGBT одевает

  Номер детали:MSCSM170DUM039AG

  Пакет/случай:Модуль

  Напряжение тока Сток-источника (Макс):1700V

  Контакт
• 

  Дискретные модули транзисторов MSCSM70HM05CAG 700V автомобильные IGBT полупроводника

  Номер детали:MSCSM70HM05CAG

  VF:1,5 v

  Технология:НИЦ

  Контакт