Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  модули 700V MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG автомобильные IGBT кремниевого карбида 4N-Channel

  Номер детали:MSCSM70TLM10C3AG

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:430nC @ 20V

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:9000pF @ 700V

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль 1200V Schottky кремниевого карбида модулей MSCDC100A120D1PAG IGBT

  Номер детали:МСКДК100А120Д1ПАГ

  Конфигурация диода:1 пара последовательного соединения

  Общий емкостной заряд VR = 600В:448 нКл (тип.)

  Контакт
• 

  Автомобильные модули полупроводника модулей MSCSM120TAM16CTPAG 728W IGBT дискретные

  Номер детали:MSCSM120TAM16CTPAG

  течение утечки Ворот-источника:1μA

  Напряжение тока порога ворот:2.8V

  Контакт
• 

  Модуль транзисторов держателя шасси массива 1200V 251A Mosfet MSCSM120TAM11CTPAG

  Номер детали:MSCSM120TAM11CTPAG

  Пульсированное течение стока:1600A

  Напряжение тока Ворот-источника:25V

  Контакт
• 

  модули диода MSCDC100A170D1PAG автомобильные IGBT Schottky кремниевого карбида 1700V 100A

  Номер детали:MSCDC100A170D1PAG

  Разъемы питания:Разъемы питания M5

  Напряжение тока:1700V

  Контакт
• 

  Модуль силы диода модулей 700V 100A модулей MSCDC100A70D1PAG автомобильный IGBT

  Номер детали:MSCDC100A70D1PAG

  Скорость:Отсутствие время восстановления > 500mA (Io

  Напряжение тока - переднее (Vf) (Макс) @ если:1,8 V @ 100 A

  Контакт
• 

  Автомобильные IGBT-модули MSCSM70VM19C3AG Mosfet Array Chassis Mount Transistors

  Номер детали:MSCSM70VM19C3AG

  Устанавливать стиль:Держатели винта

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 50 a

  Контакт
• 

  модули транзисторов MSCSM70VM10C4AG автомобильные IGBT держателя шасси 238A

  Номер детали:MSCSM70VM10C4AG

  Конфигурация:Канал 2 n (нога участка)

  Сила - Макс:674W (Tc)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы диодов SiC ноги участка модулей MSCDC150A170D1PAG 150A IGBT

  Номер детали:MSCDC150A170D1PAG

  Пакет прибора поставщика:D1P

  Продукт:Модуль силы диода

  Контакт
• 

  Автомобильный держатель шасси транзисторов модулей MSCSM120AM042CT6LIAG 495A IGBT

  Номер детали:MSCSM120AM042CT6LIAG

  Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:18100pF @ 1kV

  Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:1392nC @ 20V

  Контакт
• 

  модули модуля силы MSCDC200A120D1PAG диодов SiC ноги участка 200A автомобильные IGBT

  Номер детали:MSCDC200A120D1PAG

  Напряжение тока - переднее (Vf) (Макс) @ если:1,8 В при 200 А

  Пропускной ток DC TC = °C 95:200A

  Контакт
• 

  Дискретные полупроводниковые модули MSCSM120AM042CT6AG Transistors Chassis Mount

  Номер детали:MSCSM120AM042CT6AG

  Тип:Нога участка

  ID - Непрерывное течение стока:495 a

  Контакт