Китай Автомобильные модули IGBT

• 

  Транзисторы полупроводника массива 1.7kV 124A Mosfet MSCSM170AM23CT1AG дискретные

  Номер детали:MSCSM170AM23CT1AG

  Конфигурация:Канал 2 n (нога участка)

  VGS:20 v

  Контакт
• 

  Модуль силы MOSFET модулей 1200V SiC N-канала MSC40SM120JCU3 автомобильный IGBT

  Номер детали:MSC40SM120JCU3

  Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C:55A (Tc)

  Id Vgs (th) (Макс) @:2.7V @ 1mA

  Контакт
• 

  Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

  Номер детали:MSC130SM120JCU3

  Продукт:Модули кремниевого карбида IGBT

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы держателя шасси модулей MSCSM170AM45CT1AG 319W IGBT

  Номер детали:MSCSM170AM45CT1AG

  VDSS:1700V

  Настоящий - непрерывный сток:64A (Tc)

  Контакт
• 

  Автомобильный модуль силы 4000Vrms MOSFET модулей MSCSM120DAM11CT3AG SiC IGBT

  Номер детали:MSCSM120DAM11CT3AG

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 180 a

  Время падения:25 нс

  Контакт
• 

  Держатель SP3F шасси модулей 700V 241A 690W полупроводника MSCSM70AM10CT3AG дискретный

  Номер детали:MSCSM70AM10CT3AG

  Категория продукта:Дискретные модули полупроводника

  Vf - пропускное напряжение:1,5 v на 100 a

  Контакт
• 

  кремниевый карбид SOT-227-4 N-канала модулей MSC130SM120JCU2 1200V автомобильный IGBT

  Номер детали:MSC130SM120JCU2

  Тип:Тяпка поддержки

  Vgs - напряжение тока Ворот-источника:- 10 В, + 25 В

  Контакт
• 

  Автомобильные IGBT-модули MSC100SM70JCU2 Повышающий прерыватель SiC MOSFET Power Module SOT-227-4

  Номер детали:MSC100SM70JCU2

  Тип FET:N-канал

  Rds на (Макс) @ id, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V

  Контакт
• 

  Автомобильные транзисторы модуля силы кремниевого карбида модулей MSCSM70AM025CD3AG IGBT

  Номер детали:MSCSM70AM025CD3AG

  VF:1,5 v

  вр:700 v

  Контакт
• 

  Дискретные транзисторы кремниевого карбида модулей MSCSM120AM50CT1AG полупроводника

  Номер детали:MSCSM120AM50CT1AG

  Технология:НИЦ

  Тип:Нога участка

  Контакт
• 

  Трехуровневый модуль силы 1700V MOSFET инвертора MSCSM170TLM23C3AG SiC 4N-Channel

  Номер детали:MSCSM170TLM23C3AG

  Пакет прибора поставщика:СП3Ф

  Пакет/случай:Модуль

  Контакт
• 

  Автомобильные IGBT-модули MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFET Транзисторы

  Номер детали:MSCSM120AM11CT3AG

  Обратное время восстановления:90 нс

  Сопротивление Соединени-к-случая термальное:0.126°C/W

  Контакт