Китай Микросхема памяти

Обломок MT29F2G08ABAGAH4-ITE интегральной схемаы: Память IC 63-VFBGA NAND ВСПЫШКИ G

Номер части:MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

Пакет / чемодан:VFBGA-63

Размер памяти:2 Gbit
8Gbit параллель MT29F8G08ADAFAWP-AIT: Микросхема памяти 35mA NAND ВСПЫШКИ F 48-TFSOP

Номер части:MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F

Организация:1 g x 8

Тип памяти:Нелетающие
Обломок MT29F4G01ABAFD12-AAT интегральной схемаы: Микросхемы памяти 24-TBGA F 4Gbit SPI

Номер части:MT29F4G01ABAFD12-AAT: F

Код FBGA:NW931

Op. Temp.:-40C к +105C
обломок 24-TBGA интегральной схемаы флэш-памяти MT35XU01GBBA1G12-0SIT 1Gbit Xccela

Номер части:MT35XU01GBBA1G12-0SIT

Степень детализации стирания участка равномерная:128kB

Стирание подсектора:4KB
Микросхемы памяти MT29F1G08ABBFAH4-ITE: Память IC NAND ВСПЫШКИ 63-VFBGA f 1Gbit параллельная

Номер части:MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F

Приурочивая тип:Асинхронные

Плотность:1 ГБ
Обломок MT29F4G08ABADAWP-AATX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти D 48-TFSOP NAND

Номер части:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

Течение поставки - Макс:35 мам

Ширина шины данных:бит 8
Обломок MT29F2G08ABBEAH4-AITX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти e 2Gbit параллельные

Номер части:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Тип продукции:Флеш-память NAND

Организация:256 m x 8
63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Обломок интегральной схемаы IC 2Gbit флэш-памяти g NAND

Номер части:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

Приурочивая тип:Асинхронные

Подача напряжения - Макс:1,95 v
Флэш-память IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT SLC NAND: Обломок 63-VFBGA интегральной схемаы f

Номер части:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F

Плотность:4 ГБ

Код FBGA:NX100
Обломок MT29F2G08ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти G 63-VFBGA NAND

Номер части:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

Ширина:Ширина x8

Организация памяти:256 м х 8
Обломок MT29F2G16ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство g 2Gbit откалывает 63-VFBGA

Номер части:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

Размер:9mm x 11mm

Тип установки:Поверхностный монтаж
4Gbit параллель MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Микросхемы памяти IC 48-TFSOP памяти NAND ВСПЫШКИ F

Номер части:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

Серия:MT29F

Стил монтажа:SMD/SMT

Page 202 of 212|< << 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 >> >|

Микросхема памяти

Китай Микросхема памяти

Обломок MT29F2G08ABAGAH4-ITE интегральной схемаы: Память IC 63-VFBGA NAND ВСПЫШКИ G

8Gbit параллель MT29F8G08ADAFAWP-AIT: Микросхема памяти 35mA NAND ВСПЫШКИ F 48-TFSOP

Обломок MT29F4G01ABAFD12-AAT интегральной схемаы: Микросхемы памяти 24-TBGA F 4Gbit SPI

обломок 24-TBGA интегральной схемаы флэш-памяти MT35XU01GBBA1G12-0SIT 1Gbit Xccela

Микросхемы памяти MT29F1G08ABBFAH4-ITE: Память IC NAND ВСПЫШКИ 63-VFBGA f 1Gbit параллельная

Обломок MT29F4G08ABADAWP-AATX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти D 48-TFSOP NAND

Обломок MT29F2G08ABBEAH4-AITX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти e 2Gbit параллельные

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Обломок интегральной схемаы IC 2Gbit флэш-памяти g NAND

Флэш-память IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT SLC NAND: Обломок 63-VFBGA интегральной схемаы f

Обломок MT29F2G08ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти G 63-VFBGA NAND

Обломок MT29F2G16ABBGAH4-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство g 2Gbit откалывает 63-VFBGA

4Gbit параллель MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Микросхемы памяти IC 48-TFSOP памяти NAND ВСПЫШКИ F

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики