Китай Микросхема памяти

• 

  Память IC I/O 200MHz интегральной схемаы S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI обломока восьмиштырьковая

  Номер части:S80KS2563GABHI023

  Программа:50

  SDR прочитал:50 МГц

  Контакт
• 

  микросхема памяти обломока FBGA24 интегральной схемаы IC S80KS5123GABHV023 памяти 512Mbit

  Номер части:S80KS5123GABHV023

  Интерфейс:интерфейс xSPI (восьмиштырьковый)

  Температурная амплитуда рабочей температуры - промышленная (я):– °C 40 к °C +85

  Контакт
• 

  Память IC интегральной схемаы S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns обломока

  Номер части:S70KS1282GABHM023

  Интерфейс памяти:HyperBus

  Технологии:Псевдо SRAM

  Контакт
• 

  Память IC держателя S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz псевдо SRAM обломока IC поверхностная

  Номер части:S80KS2563GABHI020

  В оболочке разрыванные длины:16 байт

  Промышленная положительная величина:-40°C к +105°C

  Контакт
• 

  Электронная память IC 512Mbit 24-FBGA интегральных схема S26HS512TGABHI013

  Номер части:S26HS512TGABHI013

  Взрыв прочитанный, что/написать текущее потребление:22mA/25mA

  Положение боевой готовности:µA 360

  Контакт
• 

  Память IC обломока 512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGA интегральной схемаы

  Номер части:S80KS5123GABHB023

  Ширина шины данных:бит 8

  Организация:8 m x 8

  Контакт
• 

  Обломок интегральной схемаы IC 24-FBGA 64Mbit памяти S27KL0643DPBHB023 псевдо SRAM

  Номер части:S27KL0643DPBHB023

  Серия:HyperRAM™ KL

  Тип памяти:Летучие

  Контакт
• 

  Обломок 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI интегральной схемаы - восьмиштырьковая память IC I/O

  Номер части:S70KS1283GABHI020

  Плотность:512MB

  Напряжение питания:1.7V | 2V

  Контакт
• 

  микросхема памяти обломока 24TBGA интегральной схемаы IC MT25QU512ABB8E12-0AAT памяти 512Mbit

  Номер детали:MT25QU512ABB8E12-0AAT

  Напряжение тока:1.7V | 2V

  Плотность:512MB

  Контакт
• 

  4Gbit параллель MT41K256M16TW-107 AUT: Обломок интегральной схемаы микросхемы памяти 96FBGA p

  Номер детали:MT41K256M16TW-107 AUT: P

  Размер запоминающего устройства:4Gbit

  Тип памяти:Испаряющий

  Контакт
• 

  Обломок S70KS1283GABHI023 SPI интегральной схемаы - восьмиштырьковая память IC I/O 200MHz

  Номер части:S70KS1283GABHI023

  DRAM:25nm

  Интерфейс памяти:SPI - Восьмиштырьковый I/O

  Контакт
• 

  Обломок MT29F1G08ABAFAH4-AAT интегральной схемаы: Пакет IC 20NS 63-VFBGA памяти f

  Номер детали:MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F

  Ширина шины данных:бит 8

  Интерфейс памяти:Параллельный

  Контакт