Китай Микросхема памяти

• 

  Флэш-память IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR NAND: Обломок 132-VBGA интегральной схемаы e

  Номер части:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E

  Ширина шины данных:бит 8

  Категория продукции:Флэш-память NAND

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2G08ABAGAH4-AIT интегральной схемаы: ВСПЫШКА G 2Gbit - память IC NAND

  Номер части:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G

  Тип памяти:Нелетающие

  Формат памяти:ФЛАСШ

  Контакт
• 

  Память IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI обломок интегральной схемаы 133 MHz

  Номер части:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

  Частота работы часов:133 MHz

  Напишите время цикла - слово, страница:8ms, 2.8ms

  Контакт
• 

  Обломок MT29F1G08ABAFAWP-AAT интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство IC f 1Gbit

  Номер части:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

  Память:1Gbit

  Организация памяти:128M x 8

  Контакт
• 

  Обломок MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI интегральной схемаы память IC 133 MHz

  Номер части:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

  Тип памяти:Нелетающие

  Формат памяти:ФЛАСШ

  Контакт
• 

  Обломок MT29F8G08ABACAWP-AIT IC: Держатель поверхности IC памяти 48-TSOP c 8Gbit параллельный

  Номер части:MT29F8G08ABACAWP-AIT: C

  Приурочивая тип:Асинхронные

  Организация:1 g x 8

  Контакт
• 

  Обломок MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR IC: Параллельное запоминающее устройство IC 132-VBGA e 267MHz 512Gbit

  Номер части:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E

  Приурочивая тип:Асинхронный, одновременный

  Скорость:533 MT/s

  Контакт
• 

  Электронная память IC 64-LBGA интегральных схема MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  Номер части:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  Память:1Gbit

  Интерфейс памяти:Параллельно

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2G08ABAGAWP-AAT IC: Флэш-память IC g 2Gbit параллельная 20NS 48-TSOP

  Номер части:MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G

  Напряжение - питание:2.7V ~ 3.6V

  Операционная температура:-40 °C ~ 105 °C (TA)

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2G16ABAGAWP-AIT интегральной схемаы: Флэш-память IC 48-TFSOP g NAND

  Номер части:MT29F2G16ABAGAWP-AIT: G

  Блок стирания:2 мс

  Набор команды:Протокол ONFI NAND внезапный

  Контакт
• 

  MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Держатель поверхности IC памяти 256Gbit 100MHz 100-LBGA

  Номер части:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:

  Частота работы часов:100 МГц

  Память:256Gbit

  Контакт
• 

  Обломок MT29F2T08EMLEEJ4-R интегральной схемаы: Параллельное запоминающее устройство IC 132-VBGA e 2Tbit

  Номер части:MT29F2T08EMLEEJ4-R: E

  Организация памяти:256G x 8

  Интерфейс памяти:Параллельно

  Контакт